CTS晶振,石英晶體諧振器,GA324晶振
頻率:12M~40MHZ
尺寸:3.2x2.5mm
CTS晶振公司自1896年以來,CTS晶振一直是未來的一部分.隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,我們也一直在與之一起,為滿足人們不斷變化的需求而設(shè)計智能的方法.我們的產(chǎn)品在許多行業(yè)都得到了認(rèn)可,所生產(chǎn)石英晶振,高精度貼片晶振,晶體振蕩器的性能、可靠性和工程技術(shù)都很出色.我們的客戶以我們卓越的、一貫的服務(wù)水平和我們與他們合作的能力來評價我們.我們的全球足跡使我們能夠?yàn)槿蚴袌龊痛蠊痉?wù),并與本地市場中的中小企業(yè)合作,從而實(shí)現(xiàn)一個智能和無縫的世界.
CTS晶振公司在大蕭條時期,對便宜的臺式收音機(jī)的需求增加了,而芝加哥電話供應(yīng)公司則以更低成本和穩(wěn)定的碳組成可變電阻器的發(fā)展作為回應(yīng),這有助于降低無線電元件的成本.在這段時間里,公司從一個生產(chǎn)成品(電話和交換機(jī))的制造商發(fā)展成一個部件制造商.
二戰(zhàn)期間,美國陸軍需要一個鏈接到前線部隊(duì),所以芝加哥電話供應(yīng)公司集成電話和無線電組件技術(shù)開發(fā)RM-29遠(yuǎn)程電話字段設(shè)置.陸軍/海軍生產(chǎn)卓越獎了去芝加哥的電話供應(yīng)公司杰出的戰(zhàn)時生產(chǎn)超過300000電話RM-29字段.然后,在回答一個請求從麻省理工學(xué)院(MIT)輻射實(shí)驗(yàn)室,工程師致力于創(chuàng)建RLB€“雷達(dá)的精密電位計單位.這項(xiàng)新技術(shù)使盟軍能夠執(zhí)行夜間空襲任務(wù),這對縮短戰(zhàn)爭至關(guān)重要.在以后的幾年,和平時期的RLB應(yīng)用包括空中交通安全、增強(qiáng)天氣預(yù)報和醫(yī)療診斷.
CTS晶振,石英晶體諧振器,GA324晶振,3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
石英晶振在選用晶片時應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.
對于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計:石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項(xiàng)相對簡單,第4項(xiàng)的設(shè)計很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設(shè)計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對電極的設(shè)計提出了更精準(zhǔn)的要求.
CTS晶振規(guī)格 |
單位 |
GA324晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12MHZ~40MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用CTS晶振時應(yīng)注意以下事項(xiàng):
以下是石英晶振電路設(shè)計匹配問題:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
(3)振蕩期間測量R的值.
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL).
采用具有較低電阻(RR)的晶振.CTS晶振,石英晶體諧振器,GA324晶振
使用光盤和CG的不等價的設(shè)計.我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.
當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運(yùn)行,因?yàn)榫w沒有足夠的輸出波形振幅.
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