ECS晶振,貼片晶振,ECX-32晶振,ECX-33Q晶振,ECS-160-20-33-TR晶振
頻率:12M~50MHZ
尺寸:3.2x2.5mm
ECS Inc晶振有大約100家聯(lián)合銷售辦事處和遍布全球15個(gè)國家的合作伙伴.我們有世界級的市場營銷、銷售、分銷、工程和客戶服務(wù)團(tuán)隊(duì),他們每天都參與一個(gè)全球性的技術(shù)網(wǎng)絡(luò),他們的焦點(diǎn)僅僅是為客戶提供最好的解決方案.
自1980年ECS晶振集團(tuán)成立以來,在國際范圍內(nèi)進(jìn)行了近35年的業(yè)務(wù),自成立以來已超過30億的頻率控制組件,致力于為世界提供最先進(jìn)的創(chuàng)新頻率控制技術(shù).ECS公司堅(jiān)持以創(chuàng)新為中心的企業(yè)文化,旨在促進(jìn)和發(fā)展每一個(gè)無價(jià)值的伙伴關(guān)系的創(chuàng)造力,使我們能夠最大限度地滿足不斷變化的全球電子市場的需求.ECS Inc.晶振集團(tuán)與世界各地的組織合作,幾乎每一個(gè)行業(yè),以及每一個(gè)規(guī)模,從初創(chuàng)企業(yè)到全球財(cái)富500強(qiáng)組織.所使用到的晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器,有源晶振壓控晶振等元件遍布各行各業(yè).
ECS Inc.晶振集團(tuán)成為市場領(lǐng)導(dǎo)者提供創(chuàng)新、先進(jìn)的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體頻率控制組件解決方案到電信、工業(yè)、公用事業(yè)、導(dǎo)航、汽車、電子、航空航天和醫(yī)療與一流的制造行業(yè)的基于石英晶體/過濾器,時(shí)鐘振蕩器、陶瓷諧振器/過濾器和其他基于壓電的產(chǎn)品.ECS inc .以迅速擴(kuò)大的市場部門的多元化產(chǎn)品基礎(chǔ),熱情關(guān)注客戶和市場趨勢,調(diào)動企業(yè)的力量,為世界各地的客戶提供一貫的卓越服務(wù).
•工業(yè)應(yīng)用例如監(jiān)控、過程控制、RFID、庫存跟蹤、自動售貨監(jiān)控、數(shù)據(jù)鏈接、條形碼閱讀設(shè)備
•商業(yè)應(yīng)用程序,如門播音員、照明和水控制、安全與訪問系統(tǒng)、門控、遠(yuǎn)程激活、記分牌、訂購和尋呼系統(tǒng)
•汽車應(yīng)用例如遠(yuǎn)程無鑰匙入口和輪胎壓力監(jiān)測
•消費(fèi)者產(chǎn)品,如電子玩具、家庭安全、門和車庫門、intercoms、氣象站和灌溉控制器
•醫(yī)療產(chǎn)品,如病人呼叫和監(jiān)控系統(tǒng)、殘疾人輔助設(shè)備、遠(yuǎn)程病人數(shù)據(jù)記錄和實(shí)時(shí)無線監(jiān)控設(shè)備.
•網(wǎng)絡(luò)、存儲、4G BTS、女性細(xì)胞、視頻、Sonet / SDH、服務(wù)器、電信和工業(yè)監(jiān)控系統(tǒng)、
ECS Inc集團(tuán)擁有頂尖人才和技術(shù),以及創(chuàng)新的產(chǎn)品開發(fā)理念,使其能夠解決復(fù)雜的客戶問題.石英晶振,貼片晶振,有源晶振,壓電水晶的批量生產(chǎn)在日本、中國、臺灣和韓國的世界級認(rèn)證的制造設(shè)施.內(nèi)部檢測和測試確保所有產(chǎn)品達(dá)到或超過ECS公司的質(zhì)量保證標(biāo)準(zhǔn).這些制造地點(diǎn)擁有最嚴(yán)格的質(zhì)量管理認(rèn)證,開始于ISO 9001 / 2008、同位素的ISO14001和AECQ產(chǎn)品的國際組織.
ECS晶振,貼片晶振,ECX-32晶振,ECX-33Q晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,美國ECS石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果.
ECSInc晶振規(guī)格 |
單位 |
ECX-32晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
120MHZ~50MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-20°C ~ +70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
|
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year
Max. |
+25°C,第一年 |
ECSInc晶振規(guī)格 |
單位 |
EC X-33Q晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12MHZ~40MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-55°C ~ +125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
ECX-32晶振尺寸圖:
ECX-33Q晶振尺寸圖:
在使用ECS晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
以下是石英晶振電路設(shè)計(jì)匹配問題:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.ECS晶振,貼片晶振,ECX-32晶振,ECX-33Q晶振
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個(gè)阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
(3)振蕩期間測量R的值.
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振,晶體濾波器具有較低負(fù)載電容(CL).
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.
當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系億金電子晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運(yùn)行,因?yàn)榫w沒有足夠的輸出波形振幅.
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