ECS晶振,32.768K晶振,ECX-12晶振,ECX-12L晶振
頻率:32.768KHZ
尺寸:2.0x1.2mm
ECS Inc.晶振集團是一家私人控股的全球領先企業(yè),在維護全球日益增長的高可靠性創(chuàng)新頻率控制設備需求方面處于領先地位.一流的研究公司和電子設備設計者,是全球領先的15家開發(fā)和生產(chǎn)創(chuàng)新頻率控制解決方案的石英晶體,貼片晶振,石英晶體振蕩器制造商,超過600家.ECS Inc晶振支持勞動力在香港、韓國、韓國、煙臺、中國和美國的生產(chǎn)設施和物流中心超過225家.
ECS Inc晶振有大約100家聯(lián)合銷售辦事處和遍布全球15個國家的合作伙伴.我們有世界級的市場營銷、銷售、分銷、工程和客戶服務團隊,他們每天都參與一個全球性的技術網(wǎng)絡,他們的焦點僅僅是為客戶提供最好的解決方案.
ECS晶振,32.768K晶振,ECX-12晶振,ECX-12L晶振,隨著科技日益高速的發(fā)展,電子元器件體積也越來越小,智能手機,平板電腦等無線通訊器材,也隨著小型化,就在蘋果2016年推出智能手環(huán)以來,各項智能手環(huán)通訊產(chǎn)品在國內(nèi)陸陸續(xù)續(xù)的推出,因智能手環(huán)本身重量輕,體積小等原因,所以內(nèi)部所使用的電子零件均是目前最新最小的產(chǎn)品.那么晶振又有那幾款會使用到智能手環(huán)里面呢?32.768K晶振目前SMD品種有幾款產(chǎn)品在智能手環(huán)中發(fā)揮最大的作用呢?以下幾款對比產(chǎn)品:愛普生晶振品牌FC-12M,精工晶體的品牌SC-20S精工晶振,西鐵城晶振的CM-212H,日本大真空晶體品牌DST210A等以上幾款32.768K均是目前市場上最為常用的小尺寸貼片晶振,外觀尺寸2.0*1.2*0.5mm體積還不足一粒米大小.
石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
ECS晶振規(guī)格 |
單位 |
石英晶振基本條件 |
|
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
ECS晶振規(guī)格 |
單位 |
ECX-12L晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
ECX-12晶振尺寸圖
ECX-12L晶振尺寸圖
在使用ECS晶振時應注意以下事項:
產(chǎn)品設計人員在設計振蕩回路的注意事項
1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,ECS晶振,32.768K晶振,ECX-12晶振,ECX-12L晶振
Re表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2.
2. 振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩.為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻.
3. 負載電容
如果振蕩電路中晶振的負載電容不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示.電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS.
其中CS表示電路的雜散電容.
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