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ECLIPTEK晶振,無源晶振,EA2025FA08-16.000M TR晶振,EA2025FA晶振

頻率：16MHZ

尺寸：2.0x2.5mm

2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點,產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品.

訂購熱線：0755-27876565

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服務(wù)是Ecliptek日蝕晶振成功的基石.我們時時為客戶著想,盡力滿足并超越客戶對于我們的石英晶振,貼片晶振,電壓晶體元件,晶體振蕩器,有源晶振等產(chǎn)品的質(zhì)量要求以及服務(wù)價值.憑借先進的設(shè)備一流的技術(shù)以及公司訓(xùn)練有素的服務(wù)團隊,多方面的滿足各領(lǐng)域客戶的不同需求,從而成為晶振行業(yè)內(nèi)的最佳資源之一.

Ecliptek日蝕晶振公司成立于1987年,是一家石英晶振晶體,貼片晶振頻率元件控制市場上公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者.日蝕晶振公司擁有先進的產(chǎn)品和領(lǐng)先的技術(shù)使我們能夠為客戶提供最好的石英晶體,貼片晶振,石英水晶和有源晶振,石英晶體振蕩器,貼片振蕩器產(chǎn)品.

日蝕晶振集團將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護活動的質(zhì)量.集團公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進行環(huán)境保護,將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).集團將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運作中實施持續(xù)改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.

盡可能的采用無害的石英晶振, 晶體振蕩器,有源晶振壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體的原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.

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ECLIPTEK晶振,無源晶振,EA2025FA08-16.000M TR晶振,EA2025FA晶振,小體積貼片2520mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.) 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

石英晶振在選用晶片時應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.

對于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1）,會在 X 軸方向進行拉弦（切掉一小部分）,以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠,點膠點點在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計：石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波.第1、2、3項相對簡單,第4項的設(shè)計很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導(dǎo)致第4項的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設(shè)計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對電極的設(shè)計提出了更精準(zhǔn)的要求.

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日蝕晶振規(guī)格	單位	EA2025FA晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12.00MHZ~54.0MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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EA2025FA08-16.000M TR 2520

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在使用ECLIPTEK晶振時應(yīng)注意以下事項:

以下是石英晶振電路設(shè)計匹配問題：

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測量R的值.
（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.

如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設(shè)計.我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.ECLIPTEK晶振,無源晶振,EA2025FA08-16.000M TR晶振,EA2025FA晶振

當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.

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2520無源晶體 ECLIPTEK晶振 EA2025FA08-16.000M TR晶振 EA2025FA晶振

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