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Microcrystal晶振,圓柱晶振,DS10晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：1.0x4.3mm

音叉型32.768K表晶體積大小通常分為3x8mm和2x6mm兩種尺寸,晶振選用的材料都是選用的日本進口高質量品牌.檢驗測試儀器儀表都是選用的日本精工品牌一級設備,具有極強的抗震性能,在常規(guī)的摔落以及物流運輸過程中都不會受到影響.被廣泛應用到比較高端的汽車電子產品,民用產品有家用電器,智能筆記本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等產品.

訂購熱線：0755-27876565

WJ-2 微晶晶振,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產品.而今,微晶已經發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、32.768K晶振和OCXO晶體振蕩器,有源晶振等多個領域的領導供貨商,為世界一流的終端產品制造商提供從設計到量產的全方位支持,服務范圍涵蓋手機、計算機、汽車電子、手表、工業(yè)控制、植入式醫(yī)療及其他高可靠性產品.

微晶晶振在瑞士、泰國建有石英晶振,石英晶體振蕩器生產中心,及遍布世界各地的代表處.我們所有的產品都得到ISO9001和ISO14001的認證,并達到RoHS,REACh等規(guī)范的要求.全球約550個員工的責任感和奉獻精神是我們成功的基石.我們對管理、環(huán)境、社會責任都有明確的行為準則（比如對有爭議的原材料的問題上）,這些是我們在未來保持競爭優(yōu)勢的主要原因.

微晶晶振環(huán)?；纠砟睿?/span>

微晶晶振建立和遵守其嚴格的基于活動所在地法律法規(guī)的環(huán)境、安全和健康標準.將不斷地擴展循環(huán)利用、能源和廢棄物管理項目.

對員工進行環(huán)境保護知識培訓,提高其環(huán)境意識,建立環(huán)境職責,自覺改進、預防對環(huán)境的負面影響.在對石英晶振,貼片晶振,壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）壓電石英晶體元器件的全過程中努力節(jié)能降耗,實現(xiàn)資源消耗最小化.對產生環(huán)境影響的活動做出及時反應,并對可能產生環(huán)境負面影響的活動做出預防.

瑞士微晶晶振集團減少污染物排放,對不可再生的資源進行有效利用.減少廢物的產生,對其排放的責任進行有效管理,有效地使用能源.通過設計工藝程序對員工進行培訓保護環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產品的信息,對環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運營現(xiàn)狀進行糾正.

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Microcrystal晶振,圓柱晶振,DS10晶振,32.768K石英晶體頻率穩(wěn)定性強,在各種產品中面對不同環(huán)境其晶振都能夠保持在10PPM高精度.具有極強的抗震性能,在常規(guī)的摔落以及物流運輸過程中都不會受到影響.每一批生產的晶振在出廠時都會經過嚴格的檢驗,采用24小時老化測試為質量嚴格把關.

石英晶振高精度晶片的拋光技術：貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).

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微晶晶振規(guī)格	單位	DS10晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-20°C ～ +70°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +60°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.gshqh.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	12.5pF ～ ∞	超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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yijin-4 使用微晶晶振時應注意以下事項

插件型晶振安裝注意事項：

安裝時的注意事項導腳型晶振• 構造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2).

• 修改插件晶振彎曲導腳的方法(1) 要修改彎曲的導腳時,以及要取出晶振等情況下不能強制拔出導腳,如果強制地拔出導腳,會引起玻璃的破裂,而導致殼內真空濃度的下降,有可能促使微晶晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3).(2) 要修改彎曲的導腳時,要壓住外殼基側的導腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進行修改(參閱圖 4).

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彎曲導腳的方法(1) 將導腳彎曲之后并進行焊接時,導腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位.如果不留出導腳的直線部位而將導腳彎曲,有可能導致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6).(2) 在導腳焊接完畢之后再將導腳彎曲時,務必請留出大于外殼直徑長度的空閑部分 (參閱圖7).

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如果直接在外殼部位焊接,會導致殼內真空濃度的下降,使微晶晶振特性惡化以及晶振芯片的破損.應注意將晶振平放時,不要使之與導腳相碰撞,請放長從外殼部位到線路板為止的導腳長度 (L) ,并使之大于外殼的直徑長度(D).

焊接方法焊接部位僅局限于導腳離開玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位,并且請不要對外殼進行焊接.另外,如果利用高溫或長時間對導腳部位進行加熱,會導致晶振特性的惡化以及晶振的破損.因此,請注意對導腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下,且加熱時間要控制在5秒以內 (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下).Microcrystal晶振,圓柱晶振,DS10晶振

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DS10晶振 32.768K圓柱晶體 1x4mm晶體

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