美國(guó)Statek晶振,貼片晶振,CX20晶振
頻率:16M~50MHZ
尺寸:2.5X2.1mm
STATEK晶振公司在1970年開創(chuàng)了石英晶體,時(shí)鐘振蕩器的微小型技術(shù),給頻率控制行業(yè)帶來(lái)了革命性的變化.時(shí)至今日Statek公司依舊注重品質(zhì),專注服務(wù)不斷改進(jìn),致力于研發(fā)生產(chǎn)超薄,超小型石英晶振,貼片晶振,石英晶體,有源振蕩器,溫補(bǔ)晶體振蕩器以及傳感器等器件,產(chǎn)品均在美國(guó)研發(fā)設(shè)計(jì),制造,檢測(cè).
Statek晶振公司是設(shè)計(jì)和制造高可靠頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)者,研發(fā)生產(chǎn)低相位低抖動(dòng)石英晶體振蕩器.以前要實(shí)現(xiàn)卓越的高系統(tǒng)性能需要消耗大量的石英晶體振蕩器,這對(duì)于很多應(yīng)用領(lǐng)域而言是筆不小的開銷,因?yàn)榭臻g上和電力方面都比較耗資源.為了實(shí)現(xiàn)客戶低消耗高收益的作業(yè),Statek晶振公司提供了高精度,低噪音,低相位,低功耗,低抖動(dòng)石英晶振,石英晶體振蕩器.
Statek石英晶體振蕩器低消耗低電流只需3.2~2.5mm,頻率范圍從20MHZ~50MHZ可供選擇,電壓范圍在1.8V~3.3V之間,在產(chǎn)品中使用的工作溫度范圍廣-55°C+125°C.并且具有超強(qiáng)的耐沖擊性能,可用于軍工產(chǎn)品,軍事領(lǐng)域.
Statek晶振公司擁有先進(jìn)的壓電石英晶體、有源晶體工藝,精湛的技術(shù)以及掌握了各種操作模式中所有機(jī)械幾何形狀的石英諧振器的專業(yè)知識(shí).以及先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備和測(cè)試儀器,采用IS09002質(zhì)量管理體系進(jìn)行生產(chǎn)、技術(shù)管理,能及時(shí)為晶振用戶提供更好的服務(wù).
STATEK晶振公司堅(jiān)持運(yùn)用,不斷完善,持續(xù)改進(jìn),更要針對(duì)新情況、新問(wèn)題,不斷學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)經(jīng)驗(yàn),結(jié)合實(shí)際,及時(shí)改進(jìn)舊方法,勇于擯棄落后方法.
要積極開展安全經(jīng)驗(yàn)分享活動(dòng),讓每一個(gè)單位、每一個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)和教訓(xùn)變成大家的經(jīng)驗(yàn),成為企業(yè)的財(cái)富.
STATEK晶振公司的目標(biāo)是保證石英晶振,貼片晶振,晶體振蕩器,有源晶振產(chǎn)品繼續(xù)滿足客戶要求的同時(shí)對(duì)環(huán)境的影響降到最小,在生產(chǎn)過(guò)程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實(shí)現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進(jìn).

美國(guó)Statek晶振,貼片晶振,CX20晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).
Statek晶振規(guī)格 |
單位 |
CX20晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
16MHZ~50MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用Statek晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)
自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊:
石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品.請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響.條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件.同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等.
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂).尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局石英晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法.美國(guó)Statek晶振,貼片晶振,CX20晶振
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.
(2)陶瓷封裝貼片晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞.當(dāng)石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂.當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正.在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞.所以在此處請(qǐng)不要施加壓力.另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上.
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晶振系列
日本進(jìn)口晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 村田晶振
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- KDS Quartz crystal
- NDK Quartz crystal
- EPSON Quartz crystal
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- NAKA晶振
- SMI晶振
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臺(tái)產(chǎn)晶振
歐美晶振
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- 康納溫菲爾德晶振
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- ??怂咕д?/a>
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- WI2WI晶振
- 韓國(guó)三呢晶振
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有源晶振
霧化片
貼片晶振
32.768K
- 32.768K有源晶振
- 8.0x3.8晶振
- 7.1x3.3晶振
- 7.0x1.5晶振
- 5.0x1.8晶振
- 4.1x1.5晶振
- 3.2x1.5晶振
- 2.0x1.2晶振
- 1.6x1.0晶振
- 1.2x1.0晶振
- 圓柱晶振
聲表面濾波器
石英晶振
KDS晶振
愛(ài)普生晶振
- EPSON 32.768K晶振
- EPSON無(wú)源晶振
- EPSON普通有源晶振
- EPSON壓控晶振
- EPSON溫補(bǔ)晶振
- EPSON壓控溫補(bǔ)晶振
- EPSON恒溫晶振
- EPSON差分晶振
- EPSON可編程晶振
NDK晶振
溫補(bǔ)晶振
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