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ECS晶振,貼片晶振,CSM-9晶振

頻率：4M~50MHZ

尺寸：8.0X4.5mm

貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性

訂購熱線：0755-27876565

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ECS Inc集團(tuán)擁有頂尖人才和技術(shù),以及創(chuàng)新的產(chǎn)品開發(fā)理念,使其能夠解決復(fù)雜的客戶問題.石英晶振,貼片晶振,有源晶振,壓電水晶的批量生產(chǎn)在日本、中國、臺灣和韓國的世界級認(rèn)證的制造設(shè)施.內(nèi)部檢測和測試確保所有產(chǎn)品達(dá)到或超過ECS公司的質(zhì)量保證標(biāo)準(zhǔn).這些制造地點擁有最嚴(yán)格的質(zhì)量管理認(rèn)證,開始于ISO 9001 / 2008、同位素的ISO14001和AECQ產(chǎn)品的國際組織.

美國ECS crystal集團(tuán)成為市場領(lǐng)導(dǎo)者提供創(chuàng)新、先進(jìn)的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體頻率控制組件解決方案到電信、工業(yè)、公用事業(yè)、導(dǎo)航、汽車、電子、航空航天和醫(yī)療與一流的制造行業(yè)的基于石英晶體/過濾器,時鐘振蕩器、陶瓷諧振器/過濾器和其他基于壓電的產(chǎn)品.ECS inc .以迅速擴(kuò)大的市場部門的多元化產(chǎn)品基礎(chǔ),熱情關(guān)注客戶和市場趨勢,調(diào)動企業(yè)的力量,為世界各地的客戶提供一貫的卓越服務(wù).

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ECS晶振,貼片晶振,CSM-9晶振,貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機(jī)器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.

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ECS晶振規(guī)格	單位	CSM-9晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	4M~50MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF ～ ∞	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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在使用ECS晶振時應(yīng)注意以下事項：

產(chǎn)品設(shè)計人員在設(shè)計振蕩回路的注意事項

1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R1（1+Co/CL）2.

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2. 振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩.為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻.

3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中晶振的負(fù)載電容不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示.電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS.
其中CS表示電路的雜散電容.ECS晶振,貼片晶振,CSM-9晶振

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深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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CSM-9晶振兩腳貼片晶振 8045石英晶體諧振器

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