Raltron晶振,圓柱晶振,CSA309晶振
頻率:4M~70MHZ
尺寸:3.2x9.0mm
插件圓柱晶振系列為滿(mǎn)足市場(chǎng)不同產(chǎn)品對(duì)精度的要求,通常情況下分為±5PPM、±10PPM、±20PPM,如果有其他特殊要求的客戶(hù)也可以分為在精度上分為正偏差以及負(fù)偏差。音叉型表晶在產(chǎn)品中使用溫度范圍可以達(dá)到—40°到+70°的寬溫要求。
Raltron晶振公司在其位于邁阿密的工廠生產(chǎn)一些較為高端精密的石英晶體振蕩器,有源晶振,溫補(bǔ)振蕩器.相對(duì)于一些石英晶體諧振器,石英晶體,貼片晶振,時(shí)鐘振蕩器以及過(guò)濾器,陶瓷諧振器,濾波器等則是在國(guó)內(nèi)幾個(gè)工廠生產(chǎn).通過(guò)將這些產(chǎn)品從香港的物流中心運(yùn)往世界各地,Raltron晶振公司全體員工均以追求完美的服務(wù)以及卓越的品質(zhì)為工作理念.
Raltron拉隆晶振積極努力追求一流的生產(chǎn)技術(shù)以滿(mǎn)足客戶(hù)的需求,滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)于質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器等頻率元件的市場(chǎng)需求.Raltron石英晶振,貼片晶體,石英晶體諧振器,石英晶體,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體具有精確的頻率容差和穩(wěn)定性,有源晶振的頻率范圍廣,封裝尺寸小,具有低相位噪聲和低抖動(dòng)等特點(diǎn).
Raltron石英晶振集團(tuán)加強(qiáng)環(huán)境意識(shí)教育,提高全員環(huán)境意識(shí),充分調(diào)動(dòng)職工的積極性,積極使用壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶振、(PXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過(guò)程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響.
Raltron晶振,圓柱晶振,CSA309晶振,插件圓柱晶振系列為滿(mǎn)足市場(chǎng)不同產(chǎn)品對(duì)精度的要求,通常情況下分為±5PPM、±10PPM、±20PPM,如果有其他特殊要求的客戶(hù)也可以分為在精度上分為正偏差以及負(fù)偏差。音叉型表晶在產(chǎn)品中使用溫度范圍可以達(dá)到—40°到+70°的寬溫要求。插件圓柱晶振系列主要使用于較為高端大氣上檔次的汽車(chē)電子、智能家用電器、筆記本、插卡音響、智能手表、以及數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品中。
石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱(chēng)為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類(lèi)寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶(hù)端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問(wèn)題,公司在此方面通過(guò)理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果.
Raltron晶振規(guī)格 |
單位 |
CSA309晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
4MHZ~70MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用Raltron晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
插件晶振安裝示例
(4)DIP產(chǎn)品
已變形的石英晶振引腳不能插入板孔中.請(qǐng)勿施加過(guò)大壓力,以免引腳變形.
(5)SOJ 產(chǎn)品和SOP 產(chǎn)品
請(qǐng)勿施加過(guò)大壓力,以免石英晶振引腳變形.已變形的石英晶振引腳焊接時(shí)會(huì)造成浮起.尤其是SOP產(chǎn)品需要更加小心處理.
9.4.超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面面濾波器波(SAW)/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過(guò)超聲波進(jìn)行清洗.但是,在某些條件下, 晶振特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線(xiàn)路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.Raltron晶振,圓柱晶振,CSA309晶振
(2)使用音叉表晶和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無(wú)法確保能夠通過(guò)超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫д窨赡苁艿狡茐?/span>.
(3)請(qǐng)勿清洗開(kāi)啟式晶振產(chǎn)品
(4)對(duì)于可清洗晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等.
(5)焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固.這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象.這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量.請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB.
10.操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.
11.使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振.這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障.請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生.
晶振/石英晶體諧振器
激勵(lì)功率
在晶振上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
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晶振系列
日本進(jìn)口晶振
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- 大河晶振
- KDS Quartz crystal
- NDK Quartz crystal
- EPSON Quartz crystal
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- NAKA晶振
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臺(tái)產(chǎn)晶振
歐美晶振
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霧化片
貼片晶振
32.768K
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- 8.0x3.8晶振
- 7.1x3.3晶振
- 7.0x1.5晶振
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- 1.2x1.0晶振
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聲表面濾波器
石英晶振
KDS晶振
愛(ài)普生晶振
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- EPSON壓控溫補(bǔ)晶振
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- EPSON可編程晶振
NDK晶振
溫補(bǔ)晶振
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