瑞士微晶晶振,32.768K晶振,CC8V-T1A晶振
頻率:32.768KHZ
尺寸:2.0x1.2mm
微晶晶振在瑞士、泰國建有石英晶振,晶體振蕩器生產(chǎn)中心,及遍布世界各地的代表處.我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證,并達到RoHS,REACh等規(guī)范的要求.全球約550個員工的責(zé)任感和奉獻精神是我們成功的基石.我們對管理、環(huán)境、社會責(zé)任都有明確的行為準(zhǔn)則(比如對有爭議的原材料的問題上),這些是我們在未來保持競爭優(yōu)勢的主要原因.
微晶晶振,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產(chǎn)品.
而今,微晶晶振已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、晶振和OCXO晶體振蕩器,有源晶振等多個領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)供貨商,為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計到量產(chǎn)的全方位支持,服務(wù)范圍涵蓋手機、計算機、汽車電子、手表、工業(yè)控制、植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品.
瑞士微晶晶振集團減少污染物排放,對不可再生的資源進行有效利用.減少廢物的產(chǎn)生,對其排放的責(zé)任進行有效管理,有效地使用能源.通過設(shè)計工藝程序?qū)T工進行培訓(xùn)保護環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運營現(xiàn)狀進行糾正.
保持就健康安全環(huán)境問題與臨近攝取進行對話.通過在環(huán)境控制方面實施優(yōu)秀的管理實踐,以保護環(huán)境和與強生公司全球運作相關(guān)的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價值觀,在所有的石英晶振,晶體振蕩器,石英晶體諧振器等產(chǎn)品和生產(chǎn)過程中應(yīng)用最佳環(huán)境實用技術(shù),為全球可持續(xù)發(fā)展做出貢獻.
瑞士微晶晶振,32.768K晶振,CC8V-T1A晶振,隨著科技日益高速的發(fā)展,電子元器件體積也越來越小,智能手機,平板電腦等無線通訊器材,也隨著小型化,就在蘋果2016年推出智能手環(huán)以來,各項智能手環(huán)通訊產(chǎn)品在國內(nèi)陸陸續(xù)續(xù)的推出,因智能手環(huán)本身重量輕,體積小等原因,所以內(nèi)部所使用的電子零件均是目前最新最小的產(chǎn)品.那么晶振又有那幾款會使用到智能手環(huán)里面呢?32.768KHZ目前SMD品種有幾款產(chǎn)品在智能手環(huán)中發(fā)揮最大的作用呢?以下幾款對比產(chǎn)品:愛普生晶振品牌FC-12M,精工晶體的品牌SC-20S晶振,西鐵城晶振的CM-212H,日本大真空晶體品牌DST210A等以上幾款32.768K均是目前市場上最為常用的小尺寸貼片晶振,外觀尺寸2.0*1.2*0.5mm體積還不足一粒米大小.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
微晶晶振規(guī)格 |
單位 |
CC8V-T1A晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用微晶晶振時應(yīng)注意以下事項:
以下是石英晶振電路設(shè)計匹配問題:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值.
(3)振蕩期間測量R的值.
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL).
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設(shè)計.我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.瑞士微晶晶振,32.768K晶振,CC8V-T1A晶振
當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.
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