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微晶晶振,兩腳貼片晶振,CC6F-T1A晶振,CC6F-T1AF晶振

頻率：70M~250MHZ

尺寸：3.5x2.2mm

二腳SMD陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實(shí)是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環(huán)保性能,嚴(yán)格的頻率分選,編帶盤(pán)裝,可應(yīng)用于高速自動(dòng)貼片機(jī)焊接,產(chǎn)品本身設(shè)計(jì)合理,成本和性能良好,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于平板電腦,MP5,數(shù)碼相機(jī),USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.

訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-27876565

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微晶晶振,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產(chǎn)品.

而今,微晶已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊、晶振和OCXO晶體振蕩器,有源晶振等多個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)供貨商,為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的全方位支持,服務(wù)范圍涵蓋手機(jī)、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)電子、手表、工業(yè)控制、植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品.

微晶晶振在瑞士、泰國(guó)建有石英晶振,晶體振蕩器生產(chǎn)中心,及遍布世界各地的代表處.我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證,并達(dá)到RoHS,REACh等規(guī)范的要求.全球約550個(gè)員工的責(zé)任感和奉獻(xiàn)精神是我們成功的基石.我們對(duì)管理、環(huán)境、社會(huì)責(zé)任都有明確的行為準(zhǔn)則（比如對(duì)有爭(zhēng)議的原材料的問(wèn)題上）,這些是我們?cè)谖磥?lái)保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的主要原因.

微晶晶振建立和遵守其嚴(yán)格的基于活動(dòng)所在地法律法規(guī)的環(huán)境、安全和健康標(biāo)準(zhǔn).將不斷地?cái)U(kuò)展循環(huán)利用、能源和廢棄物管理項(xiàng)目.

對(duì)員工進(jìn)行環(huán)境保護(hù)知識(shí)培訓(xùn),提高其環(huán)境意識(shí),建立環(huán)境職責(zé),自覺(jué)改進(jìn)、預(yù)防對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響.在對(duì)石英晶振,貼片晶振,壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）壓電石英晶體元器件的全過(guò)程中努力節(jié)能降耗,實(shí)現(xiàn)資源消耗最小化.對(duì)產(chǎn)生環(huán)境影響的活動(dòng)做出及時(shí)反應(yīng),并對(duì)可能產(chǎn)生環(huán)境負(fù)面影響的活動(dòng)做出預(yù)防.

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微晶晶振,兩腳貼片晶振,CC6F-T1A晶振,CC6F-T1AF晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型?薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性?xún)r(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線(xiàn)電話(huà),衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線(xiàn)特性.

晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減?。?/span>3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一

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微晶晶振規(guī)格	單位	CC6F-T1A晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	70MHZ~250MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.gshqh.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

微晶晶振規(guī)格	單位	CC6F-T1AF晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	70MHZ~200MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.gshqh.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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CC6F-T1A晶振尺寸圖:

CC6F-T1AF晶振尺寸圖:

CC6F-T1AF 3522

yijin-4 在使用微晶晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.微晶晶振,兩腳貼片晶振,CC6F-T1A晶振,CC6F-T1AF晶振

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.

3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

4：粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

5：鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.

6：靜電

過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.

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CC6F-T1A晶振微晶晶振陶瓷面貼片晶振

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