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熱門關(guān)鍵詞 : SMD晶振溫補(bǔ)晶振KDS晶振霧化片精工晶振有源晶振TXC晶振CTS晶振京瓷晶振微晶晶振村田晶振

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golledge晶振,貼片晶振,CC1A晶振

頻率:8.000MHz~30.000MHz

尺寸:8.0*3.7*1.75mm

小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
訂購熱線:0755-27876565
QQ咨詢 點(diǎn)擊這里給我發(fā)消息 golledge晶振,貼片晶振,CC1A晶振

YJ-2

總部位于西英格蘭心臟地帶的一個美麗的轉(zhuǎn)換農(nóng)場建筑的收集,golledge向全世界50多個國家的出口,占收入的60%以上。自從我們在1990年成立以來,golledge電子取得了前所未有的成功。經(jīng)過多年的不斷增長,我們現(xiàn)在是英國最主要的石英貼片晶振產(chǎn)品供應(yīng)商。我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子工業(yè),包括電信、衛(wèi)星、微處理器、航空航天、汽車、儀器和醫(yī)療應(yīng)用。golledge晶振,貼片晶振,CC1A晶振
電子技術(shù)和技術(shù)相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在迅速發(fā)展。隨著晶振技術(shù)進(jìn)步和商業(yè)世界的發(fā)展,golledge擁有支持我們客戶需求的資源和靈活性。golledge是英國發(fā)展最快的頻率產(chǎn)品供應(yīng)商。我們在競爭激烈的市場上繼續(xù)成功是對我們的產(chǎn)品質(zhì)量和出色的服務(wù)的敬意。我們的專業(yè)和高效的方法使我們成為許多領(lǐng)先的電子設(shè)備OEM和河北的首選供應(yīng)商。8038陶瓷面封裝晶體,工業(yè)級貼片晶振,CC1A晶振
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高利奇晶振,貼片晶振,CC1A晶振.二腳SMD陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實(shí)是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環(huán)保性能,嚴(yán)格的頻率分選,編帶盤裝,可應(yīng)用于高速自動貼片機(jī)焊接,產(chǎn)品本身設(shè)計(jì)合理,成本和性能良好,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域。產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品。8038陶瓷面封裝晶體,工業(yè)級貼片晶振,CC1A晶振

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高利奇晶振規(guī)格

單位

CC1A晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

8.000MHZ~30.000MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C  +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-55°C  +125°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

100μW典型值,最大500μW

推薦:1μW  100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±50 × 10-6/-20°C  +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

20pF 

不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

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cc1a 8038

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操作
請勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。8038陶瓷面封裝晶體,工業(yè)級貼片晶振,CC1A晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用8M無源晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致8038晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致消防設(shè)備晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。golledge晶振,貼片晶振,CC1A晶振

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