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IDT晶振,差分晶振,8N4DV85晶振,壓控晶振

頻率：15.476M~1300MHZ

尺寸：7.0x5.0mm

SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn)

訂購熱線：0755-27876565

IDT-1

Integrated Device Technology, Inc.（以下簡稱IDT晶振集團(tuán)）,成立于1980年公司發(fā)展在各地均設(shè)有分公司,全球人員大概在2000左右,總部位于加州圣何塞市主要開發(fā)優(yōu)化客戶應(yīng)用的系統(tǒng)級解決方案.

IDT晶振集團(tuán)在RF、高性能定時、存儲接口、實(shí)時互聯(lián)、光互聯(lián)、無線電源及智能傳感器方面的市場導(dǎo)向型產(chǎn)品,是該公司一系列廣泛的通信、計(jì)算、消費(fèi)、汽車和工業(yè)領(lǐng)域混合信號完整解決方案的一部分.IDT的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售場所和經(jīng)銷合作伙伴遍及全世界,主要生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,VCXO晶振,（PXO）普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體等元器件.

IDT 晶振集團(tuán)運(yùn)用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進(jìn)行環(huán)境管理,盡最大可能減小業(yè)務(wù)活動對環(huán)境造成的負(fù)擔(dān),并通過業(yè)務(wù)發(fā)展推進(jìn)環(huán)境改善.

yijin-1

IDT晶振,差分晶振,8N4DV85晶振,壓控晶振,差分晶振的使用特點(diǎn)在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點(diǎn).特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了普通晶振,達(dá)到了-45°~+100°的溫度范圍,差分晶振的精度值（PPM）可精確到±10PM,普通晶振達(dá)不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時間超快為0秒,隨機(jī)抖動性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是較為常見的,相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.

高電平(1)：此時OSC有源晶振有波形輸出.

低電平(0)：此時OSC有源晶振無波形輸出.

懸空：此時OSC有源晶振有波形輸出.

輸出端三態(tài)：輸出端有三種狀態(tài)：

有波形輸出：1# 為高電平或懸空.

無輸出波形：1# 為低電平.

高阻態(tài)（高阻抗）：當(dāng)輸出為低電平時,輸出為高阻態(tài).

Load：負(fù)載（產(chǎn)品輸出驅(qū)動形式和能力）

TTL 負(fù)載：1—10 TTL.

CMOS負(fù)載：15pF、30pF、50Pf.

PECL 負(fù)載：50 Ω.

5.7、主要測試設(shè)備：

石英晶體振蕩器主要測試設(shè)備有PRA2470、PRA1020、穩(wěn)壓電源、示波器、頻率計(jì)、電流表、

PRA2400（溫度特性測試）、S&A2800（溫度特性測試）.

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IDT晶振型號	符號	8N4DV85晶振
輸出規(guī)格	-	LVDS
輸出頻率范圍	fo	15.476M~1300MHZ
電源電壓	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-40~+85℃
運(yùn)行溫度范圍	T_use	-10~+70℃ ,-40~+85℃
消耗電流	I_CC	20mA max.
待機(jī)時電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負(fù)載	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形對稱	SYM	45～55% [at outputs cross point]
0電平電壓	V_OL	-超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息http://www.gshqh.cn
1電平電壓	V_OH	-
上升時間下降時間	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分輸出電壓	V_OD1, V_OD2	0.247～0.454V
差分輸出誤差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
補(bǔ)償電壓	V_OS	1.125～1.375V
補(bǔ)償電壓誤差	⊿V_OS	50mV
交叉點(diǎn)電壓	Vcr	-
OE端子0電平輸入電壓	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	V_IH	V_CC×0.7 min.
輸出禁用時間	tPLZ	200ns
輸出使能時間	tPZL	2ms
周期抖動（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖動	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

8N4DV85 7050 VCXO LVDS

yijin-4 在使用IDT晶振時應(yīng)該注意以下事項(xiàng)：

以下是石英晶振電路設(shè)計(jì)匹配問題：

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測量R的值.
（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.

如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.IDT晶振,差分晶振,8N4DV85晶振,壓控晶振
使用光盤和CG的不等價的設(shè)計(jì).我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.

當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運(yùn)行,因?yàn)榫w沒有足夠的輸出波形振幅.

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YJ-6

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8N4DV85晶振 VCXO壓控振蕩器 5X7差分貼片晶振 IDT晶振

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