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CTS晶振,差分晶振,633晶振,LVDS差分輸出晶振

頻率：10M~220MHZ

尺寸：3.2x2.5mm

差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點,差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”電源電壓做到2.5V-3.3V之間,工作溫度,以及儲存溫度非常寬,客戶實驗證明工作溫度可以到達(dá)低溫-50度高溫到100度,頻率穩(wěn)定度在±20PPM值,輸出電壓低抖動晶振能達(dá)到1V,起振時間為0秒,隨機抖動性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.

訂購熱線：0755-27876565

CTS晶振公司自1896年以來,CTS晶振一直是未來的一部分.隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,我們也一直在與之一起,為滿足人們不斷變化的需求而設(shè)計智能的方法.我們的產(chǎn)品在許多行業(yè)都得到了認(rèn)可,所生產(chǎn)石英晶振,高精度貼片晶振,晶體振蕩器的性能、可靠性和工程技術(shù)都很出色.我們的客戶以我們卓越的、一貫的服務(wù)水平和我們與他們合作的能力來評價我們.我們的全球足跡使我們能夠為全球市場和大公司服務(wù),并與本地市場中的中小企業(yè)合作,從而實現(xiàn)一個智能和無縫的世界.

想象你和我們一起工作.CTS晶振公司,我們理解的好處讓人們投資于公司的長期成功,我們致力于創(chuàng)造一個環(huán)境,每個人都有機會成功通過他們的貢獻(xiàn).我們的人民相互支持,以提高我們的集體能力,并在我們所做的一切中取得卓越.

CTS石英晶振集團(tuán)建立一種可測量的發(fā)展和改進(jìn)的目標(biāo)指標(biāo),定期進(jìn)行內(nèi)審和管理評審.在現(xiàn)有的或新生的各種活動中不斷監(jiān)測和改進(jìn)環(huán)境績效.通過對生產(chǎn)活動的持續(xù)改進(jìn)和促進(jìn)對低效或無效的環(huán)境法律法規(guī)進(jìn)行合理化轉(zhuǎn)變,努力提高環(huán)境管理中資本的效力.

將生產(chǎn)活動中的環(huán)境因素和環(huán)境影響的分析納入我們的決策中來,確?；顒又忻恳环肿拥倪\作和發(fā)展都體現(xiàn)對污染預(yù)防方針的貫徹.

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CTS晶振,差分晶振,633晶振,LVDS差分輸出晶振,差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網(wǎng)絡(luò)路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)交換機等網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備中.網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對高標(biāo)準(zhǔn)參考時鐘的需求尤其突出,要求做為系統(tǒng)性能重要參數(shù)的相位抖動具備低抖動特征.使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場需求,實現(xiàn)高頻高精度等要求,更加保障了各種系統(tǒng)參考時鐘的可靠性.

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).

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CTS晶振型號	符號	633晶振
輸出規(guī)格	-	LVDS、LVPECL
輸出頻率范圍	fo	10~220MHz
電源電壓	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-40~+85℃
運行溫度范圍	T_use	-10~+70℃ ,-40~+85℃
消耗電流	I_CC	20mA max.
待機時電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負(fù)載	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形對稱	SYM	45~55% [at outputs cross point]
0電平電壓	V_OL	-
1電平電壓	V_OH	-
上升時間下降時間	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分輸出電壓	V_OD1, V_OD2	0.247~0.454V
差分輸出誤差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
補償電壓	V_OS	1.125~1.375V
補償電壓誤差	⊿V_OS	50mV
交叉點電壓	Vcr	-
OE端子0電平輸入電壓	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	V_IH	V_CC×0.7 min.
輸出禁用時間	tPLZ	200ns
輸出使能時間	tPZL	2ms
周期抖動（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖動	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

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使用CTS晶振時應(yīng)注意以下事項

運行條件

①電源電壓和極性

晶體振蕩器應(yīng)在規(guī)定的電源電壓和電壓范圍內(nèi)工作目錄或數(shù)據(jù)表中給出的公差.電源電壓以外的操作規(guī)范可能導(dǎo)致晶體振蕩器的間歇或完全失效.

極性反接可能會導(dǎo)致設(shè)備電氣不可逆損壞（死機）和/或機械地（燃燒）.因此,請在確認(rèn)正確的電壓極性之前給有源晶體振蕩器設(shè)備加電.

②電源電壓限制

在任何情況下,請向有源晶體振蕩器,精密儀器有源晶振施加電源電壓電平超過絕對最大值,通常最大為7VDC.對于大多數(shù)（H）CMOSIC.另請注意,電源電壓低于額定電壓的70~80％可能會導(dǎo)致電壓下降振蕩器運行不穩(wěn)定.

為獲得最佳性能和穩(wěn)定性,振蕩器可由單獨穩(wěn)定的電源供電電壓軌,以避免數(shù)字中通常存在的電源電壓噪聲干擾電路.

③石英晶體振蕩器啟動

晶體振蕩器由晶體空白和半導(dǎo)體芯片組成,它集成了一個晶體驅(qū)動電路和時鐘輸出驅(qū)動級.半導(dǎo)體芯片本身沒有包含復(fù)雜的復(fù)位邏輯或電源電壓監(jiān)控電路,用于控制振蕩器輸出信號.CTS晶振,差分晶振,633晶振,LVDS差分輸出晶振

為獲得最佳系統(tǒng)穩(wěn)定性,我們建議使用外部電源電壓監(jiān)控在電源電壓充足之前,防止后續(xù)電路開始工作的電路上電,振蕩器輸出頻率完全穩(wěn)定.請參考振蕩器啟動時間,在我們的振蕩器數(shù)據(jù)表中定義.

④旁路電容器

請注意,由于SMD振蕩器尺寸較小,因此沒有旁路電容內(nèi)置.我們強烈建議在附近放置一個~0.01μF的外部旁路電容VDC端子/焊盤與GND端子/焊盤的低阻抗連接.旁路電容器能夠在輸出信號轉(zhuǎn)換時緩沖石英晶體振蕩器的動態(tài)電源電流,它還可以幫助減少通過電源電壓軌的RF傳輸.

⑤負(fù)載電容

低于指定最大值的任何容性負(fù)載.負(fù)載電容可以連接到振蕩器的輸出.應(yīng)保持從振蕩器輸出到負(fù)載（下一個IC）的PCB走線短路以避免額外的雜散電容和輸出波形的失真.

⑥電源電流

晶體振蕩器的電流消耗取決于實際的負(fù)載電容連接到振蕩器的輸出級.實際容性負(fù)載越小,電流消耗越少.如果設(shè)計用于30pF負(fù)載的振蕩器連接到15pF的實際負(fù)載,則電流消耗與振蕩器的電流消耗大致相同專為15pF設(shè)計.

⑦方向（Pin1標(biāo)記）

對于石英晶體振蕩器,引腳1通常由蓋子上標(biāo)記的點和/或傾斜處標(biāo)識相應(yīng)的SMD墊.請確保將振蕩器正確安裝到PCB上取向.錯誤的方向可能導(dǎo)致反向電源電壓極性,這可能導(dǎo)致該單位不可逆轉(zhuǎn)地受損.

⑧PCB布局

我們建議將有源石英晶振,晶體振蕩器連接布置在芯片或芯片的短距離處接收器電路的時鐘輸入.最好避免長跡線和近旁信號跡線會干擾晶體時鐘信號.長信號走線引起的不希望的雜散電容和電感會產(chǎn)生很大的影響振蕩器單元的輸出阻抗應(yīng)最小化.

⑨建議的焊接腳布局

請注意,我們提供了焊接腳位布局建議供您參考.請使用它們作為設(shè)計建議并應(yīng)用貴公司的設(shè)計規(guī)則.標(biāo)識為NC的引腳應(yīng)保持不連接狀態(tài).

⑩工作溫度

所有晶體振蕩器應(yīng)在溫度限制范圍內(nèi)工作目錄或數(shù)據(jù)表.

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深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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633晶振 LVDS差分輸出晶體振蕩器美國進(jìn)口3225差分晶振

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: TXC晶振,差分晶振,BK晶振,BJ晶振,BM晶振; 差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點,差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”電源電壓做到2.5V-3.3V之間,工作溫度,以及儲存溫度非常寬,客戶實驗證明工作溫度可以到達(dá)低溫-50度高溫到100度,頻率穩(wěn)定度在±20PPM值,輸出電壓低抖動晶振能達(dá)到1V,起振時間為0秒,隨機抖動性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.

: CTS晶振,有源晶振,375晶振,LVDS差分晶振,375LB3C2000T晶振; 貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.