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美國西迪斯晶振,壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器,580晶振,581晶振

頻率：5M~52MHZ

尺寸：5.0x3.2mm

5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

訂購熱線：0755-27876565

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CTS晶振公司成立于1896年,CTS公司(NYSE:CTS)是一個領(lǐng)先的設(shè)計(jì)師和制造商的傳感器、執(zhí)行器和電子組件石英晶振在航空航天、通訊、國防、工業(yè)、信息技術(shù)、醫(yī)療和交通運(yùn)輸市場.本公司在北美、亞洲和歐洲擁有12個生產(chǎn)基地,致力于為全球各地的工業(yè)伙伴提供先進(jìn)的技術(shù)、卓越的客戶服務(wù)和優(yōu)越的價(jià)值.CTS晶振的目標(biāo)是在技術(shù)的前沿,為世界各地的產(chǎn)品和服務(wù)的創(chuàng)造和提升提供創(chuàng)新的石英晶振,晶體振蕩器,傳感、連接和運(yùn)動解決方案.

CTS晶振集團(tuán)運(yùn)用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進(jìn)行環(huán)境管理,盡最大可能減小業(yè)務(wù)活動對環(huán)境造成的負(fù)擔(dān),并通過業(yè)務(wù)發(fā)展推進(jìn)環(huán)境改善.

CTS晶振遵守所有適用的有關(guān)環(huán)境、健康和安全的法律和法規(guī)以及公司自己的有關(guān)環(huán)境、工業(yè)衛(wèi)生和安全的方針和承諾.

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美國西迪斯晶振,壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器,580晶振,581晶振,壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應(yīng)用：SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無鉛

VCXO 壓控晶振輸出波形和參數(shù)：

VCXO壓控晶振輸出波形即參數(shù)與普通石英晶體振蕩器OSC輸出波形和參數(shù)基本一樣.

1、VCXO壓控晶振線性度

VCXO壓控晶振線性度有兩種表示方法：

分別為：百分比 %、單位電壓頻率變化量PPM / Volt.

通常客戶要求的指標(biāo)為%

2、VCXO壓控晶振三態(tài)Tri-state（enable/disabled）：

VCXO壓控晶振也具有三態(tài)功能Tri-state（enable/disabled）,在DIP VCXO壓控晶振中由于只有4 個引腳,所

以沒有Tri-state功能,在PCB VCXO、SMD VCXO 中具有Tri-state功能,此功能

為2# 引腳.（曾經(jīng)也有客戶提出5 #為三態(tài)控制腳）.常規(guī)有源晶振基座均可滿足.

1#：電壓控制腳.電壓變化可使石英晶體振蕩器頻率發(fā)生變化.

2#：三態(tài)控制腳.通常情況下為三態(tài)控制腳.或懸空.

3#：接地腳.

4#：輸出腳.

5#：懸空.（通常情況下懸空,也可做三態(tài)控制腳）.

6#：電源電壓腳：

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CTS晶振型號		580晶振,581晶振
輸出頻率范圍		5M~52MHZ
標(biāo)準(zhǔn)頻率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
電源電壓范圍		+1.68?+3.5V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待機(jī)時電流		-更多詳細(xì)參數(shù)信息請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn/
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負(fù)載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30?+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40?+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	負(fù)載變化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10^-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10^-6~±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6~±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	頻率控制極性	正極性

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580晶振尺寸圖

580 7050 VC-TCXO 581晶振尺寸圖

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使用CTS晶振時應(yīng)注意以下事項(xiàng)

用于晶體振蕩器的主要術(shù)語解釋如下：

標(biāo)稱頻率：

振蕩器輸出頻率的標(biāo)稱值.

總體頻率容差：

振蕩器輸出頻率的偏差程度

標(biāo)稱頻率.（這包括溫度偏差,常溫和電源變化.）

工作溫度范圍：

溫度范圍內(nèi)的輸出頻率容差振蕩器和其他輸出信號特性可以滿足設(shè)定規(guī)格.

絕對最大額定值：

保證振蕩器的最大額定值;這個限制絕不能超過.如果超過此額定值,進(jìn)口VC-TCXO晶體振蕩器的可靠性可能會降低或振蕩器本身可能會被摧毀.

待機(jī)功能：

控制（啟動或停止）振蕩的功能帶外部數(shù)字信號的振蕩器

三態(tài)：

具有高功能的晶體時鐘振蕩器振蕩停止時的阻抗輸出狀態(tài)

待機(jī)功能.

目前的消費(fèi) ：當(dāng)一個電力供應(yīng)終端的電流值振蕩器振蕩.美國西迪斯晶振,壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器,580晶振,581晶振

上升時間（Tr）：

輸出波形從“L”變化所需的時間水平到“H”水平.請參閱每個的輸出波形圖

產(chǎn)品系列.

下降時間（Tf）：

輸出波形從“H”變化所需的時間等級為“L”級.請參閱每個的輸出波形圖

產(chǎn)品系列.

扇出：可連接到輸出的TTL門數(shù)振蕩器的終端.振蕩開始時間：石英晶體振蕩器輸出幅度達(dá)到的時間電源電壓施加到指定值后的指定值振蕩器已打開.

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580晶振 581晶振西迪斯5032振蕩器無線基站晶體振蕩器

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