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愛普生晶振,SPXO晶振,SG-636晶振,SG-636PCE 4.0000MC0:ROHS

頻率：2.21675M~135MHZ

尺寸：10.5x5.8mm

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

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EPSON-1

愛普生株式會社EPSON晶振愛普生拓優(yōu)科夢,(EPSON — YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶體, "SG-636PCE 4.0000MC0:ROHS"晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)石英晶體振蕩器（TCXO）.1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件(蘇州)有限公司】  愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會社與愛普生(中國)有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).

愛普生已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來驅(qū)動前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨(dú)特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供獨(dú)特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專業(yè)知識,然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K晶振,鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振等出售給我們的客戶.

愛普生株式會社EPSON晶振通過追求以QMEMS 技術(shù)為核心的“省、小、精”技術(shù),來推動具有領(lǐng)先性的環(huán)?；顒?/span>,把降低 環(huán)境負(fù)荷作為一種顧客價(jià)值提供給顧客.

創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品；并且構(gòu)筑和革新既可以降低 環(huán)境負(fù)荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動.

愛普生株式會社EPSON晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項(xiàng),也根據(jù)需要自主性的制定基 準(zhǔn),通過持續(xù)性的展開環(huán)保活動來預(yù)防污染.

yijin-1

愛普生晶振,SPXO晶振,SG-636晶振,"SG-636PCE 4.0000MC0:ROHS",貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡稱為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù).

yijin-2

愛普生晶振項(xiàng)目

符號

規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

2.21675M~135MHZ

請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

+2.5V to +5.0 V

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儲存溫度

T_stg

-40℃ to +125℃

裸存

工作溫度

T_use

G: -40℃ to +85℃

請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.gshqh.cn/

H: -40℃ to +105℃

J: -40℃ to +125℃

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 ℃, 初年度,第一年

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SG-636PTF PCE SCE PDE 10.5-5.8

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在使用愛普生晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)

晶振撿漏：檢查貼片晶振封焊后的產(chǎn)品是否有漏氣現(xiàn)象（粗撿漏、細(xì)撿漏）

3.7.1、粗撿漏：檢查較大的漏氣現(xiàn)象.細(xì)撿漏：檢查較小的漏氣現(xiàn)象.

3.7.2、酒精撿漏：把晶振放置在酒精容器內(nèi)加壓,取出后對產(chǎn)品進(jìn)行絕緣測試,判定是否漏氣.一般用絕緣電阻測試法進(jìn)行,要求直流電壓 Vcc=100 V、絕緣電阻 RR≥500 MΩ.用于粗撿漏.

3.7.3、氣泡撿漏：把石英晶振,EPSON晶振放置在 FC-40 中,觀察產(chǎn)品是否存在氣泡現(xiàn)象.用于粗撿漏.

3.7.4、氦撿漏：產(chǎn)品加壓灌氦后,用氦撿漏儀進(jìn)行撿漏.用于細(xì)撿漏.

3.8、打印：在產(chǎn)品上印上標(biāo)示.有油墨打印、激光打印.愛普生晶振,SPXO晶振,SG-636晶振,"SG-636PCE 4.0000MC0:ROHS"

3.8.1、注意：產(chǎn)品頻率、標(biāo)準(zhǔn)印字、特殊印字、部分產(chǎn)品打印前一定要確定產(chǎn)品頻率.標(biāo)簽打?。簶?biāo)準(zhǔn)標(biāo)簽打印、特殊標(biāo)簽打印.

3.9、老化：對產(chǎn)品加以高溫長時(shí)間老化,釋放應(yīng)力,暴露制造缺陷,據(jù)以提高出貨可靠性.主要參數(shù)：老化溫度、老化時(shí)間.

3.10、測試：對成品進(jìn)行電性能指標(biāo)測試,剔除不良品,保證產(chǎn)品質(zhì)量.

3.10.1、注意：產(chǎn)品老化后應(yīng)室溫放置 24 小時(shí)后,方可進(jìn)行測試.庫存產(chǎn)品放置三個(gè)月以上,出貨前應(yīng)進(jìn)行測試.標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)設(shè)置測試.

客戶特殊要求參數(shù)設(shè)置測試.（C0、C1、DLD、TS）高頻連續(xù)脈沖焊接技術(shù)：是通過在基座與上蓋之間高頻率連續(xù)低功率脈沖焊接放電,使基座與上蓋焊接部位熔接在一起,目前通過長期試驗(yàn),已總結(jié)一套工藝參數(shù),輸入PLC進(jìn)行焊接控制,利用此技術(shù)密封的石英晶振氣密性高,金屬濺射污染少,頻率變化小,一般在±2ppm以內(nèi).此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.

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YJ-6

深圳市億金電子有限公司    SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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